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    分子束外延 MBE

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    分子束外延設備在長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 如: III-V 族, II-VI 族, Si / SiGe, 金屬與金屬氧化物 (因為我們有獨步全球的激光加熱器, 可到 2英寸), 以及 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN, CIGS, OLED 等.

    分子束外延 MBE-10

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    MBE-10

    分子束外延 MBE-8

    MBE-8 可以成長三寸以下的樣品, 樣品溫度可以加到 900 攝氏度, 如果是兩寸以下的樣品可以到 1100 攝氏度. 可以裝置 8個束源爐, 最大容量 40cc

    分子束外延 MBE

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