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    KRi 霍爾離子源典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean
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    KRi 霍爾離子源典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean

    KRi 霍爾離子源典型應用濺鍍鍍膜預清潔工藝 Pre-clean
    上海伯東美國 KRi 霍爾離子源 EH 400F 成功應用于 6寸硅片電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預清潔工藝 Pre-clean.
    KRi霍爾離子源 EH400
    電源管理集成電路芯片鍍膜時常用的材料, 例如: 鈮酸鋰 LiNbO3 , 鈦酸鋇 BaTi03 , 鋯鈦酸鉛 PTZ, 氧化鋅 ZnO , 氮化鋁 AiN … 膜層與硅片會有脫膜及電性阻抗問題. 美國 KRI 霍爾離子源有最高廣角的涵蓋面積 >45?, 及高解離率獲得高密度的離子濃度, 在電源管理集成電路芯片 PMIC  的壓電材料鍍膜前有效的將硅片做清潔及平整化處理, 提高膜層的附著力及提高生產良率.

    電源管理集成電路芯片 PMIC 濺鍍鍍膜前預清潔工藝
    設備: 5只靶材復合性濺鍍機
    基材: 6 存硅片
    真空系統: 上海伯東美國 HVA 高真空插板閥 + 伯東 Pfeiffer 全磁浮分子泵
    KRi 霍爾離子源: EH 400F
    預清潔工藝離子源條件: Vd:120V (離子束陽極電壓), Id:3.5A (離子束陽極電流), Ar gas: 20sccm (氬氣).
    KRi 霍爾離子源 EH400
    KRi 霍爾離子源腔體中 KRi 霍爾離子源 EH 400 本體, 工作條件: Vd:120V, Id:3.5A, Ar:20sccm

    上海伯東美國 KRi 霍爾源可依客戶鍍膜機尺寸, 基材尺寸, 工藝條件選擇適合型號

    型號

    eH400

    eH1000

    eH2000

    eH3000

    中和器

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    F or HC

    離子束陽極電壓

    50-300 V

    50-300 V

    50-300 V

    50-250 V

    離子束陽極電流

    5A

    10A

    10A

    20A

    散射角度

    >45

    >45

    >45

    >45

    氣體流量

    2-25 sccm

    2-50 sccm

    2-75 sccm

    5-100 sccm

    本體高度

    3.0“

    4.0“

    4.0“

    6.0“

    直徑

    3.7“

    5.7“

    5.7“

    9.7“

    水冷

    可選

    可選

    可選

    F = Filament; HC = Hollow Cathode;

    若您需要進一步的了解 KRi 離子源詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
    上海伯東: 葉小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
    T: +86-21-5046-3511 ext 109              T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
    M: +86 1391-883-7267 ( 微信同號 )      M: +886-939-653-958
    qq: 2821409400 
    www.wangzhuand.com                        www.hakuto-vacuum.com.tw

    現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東 葉小姐 1391-883-7267
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